메모리 반도체_DRAM 동작이해_"DRAM이란?"

 

메모리 반도체 기술 中 4. 'DRAM 동작원리 이해'

 

이번 시간에는 DRAM에 대해 알아보겠습니다.

 

DRAM이란?

 

우리나라의 반도체 기술이 전세계적으로 유명세를 탄 것은 DRAM의 역할이 컸습니다.

삼성전자, SK하이닉스 등의 기업은 DRAM과 같은 메모리 반도체 기술력이 뛰어나며, 

DRAM은 NAND와 함께 우리나라 반도체의 핵심 부품입니다.

 

그렇다면 DRAM은 무엇일까요?

 

 DRAM : Dynamic Random Access Memory

- 메인 메모리 : 원하는 데이터에 직접 접근 가능

- CPU에 데이터 공급 & 연산결과 저장(Cap)

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'Dynamic' 

연산 결과는 커패시터를 통해 저장되는데,

외부에서 전압을 가해주면 저장하고, 전압이 제거되면 데이터가 삭제된다.

기껏 연산한 결과(데이터)가 삭제되는 것을 막고자,

지속적으로 데이터를 재충전해야 하기에 'Dynamic' 이 붙었다.

 

'Random Access'

구조를 살펴보면 Bit Line과 Word Line에 각각 커패시터와 트랜지스터(中 게이트)가 연결되어 있는데,

임의의 BL과 WL을 선택하면 임의의 Cell에 하나씩 접근이 가능하여 'Random Access'로 불린다.

 

즉, 어느 위치든 같은 시간에 접근이 가능하다! : 순차적 접근 X

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<구조>

DRAM Cell구조_1T1C

1개의 트랜지스터 + 1개의 커패시터  즉, 1T1C의 구조로 하나의 Cell을 구성

 

▷ 트랜지스터 : 마치 수도꼭지 처럼 조절기능

▷ 커패시터 : 마치 수조처럼 전하 저장을 통해 디지털 정보를 저장 (1: 저장, 0: 삭제)

 

이때, 트랜지스터와 커패시터 모두에서 전하가 누설되기 때문에

데이터가 손실될 수 있다.

 

따라서 이런 누설을 채워주기 위해 

데이터가 저장된 커패시터만 다시 데이터를 채워주는 리프레쉬 동작이 이뤄지는데,

이는 DRAM동작의 핵심이다.

 

 

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다음 시간에는 DRAM의 기능에 대해 알아보겠습니다.

 

감사합니다.