이번 포스팅에서는 지난시간에 이어 CMP 공정의 장비 구성 모듈에 대해 알아보겠습니다.
반도체 제조공정 장비운영
CMP공정 주요 모듈
□ CMP공정이란?
요철이나 굴곡이 발생한 웨이퍼의 박막(Film) 표면을
화학적/기계적 요소를 통해 연마(Polishing)해 평탄화하는 공정
□ CMP 장비 시스템 구성
1. CMP 구성 모듈
1) Load Port Module
처음 시작, 웨이퍼를 로딩해줌(in)
2) Polish Unit1/2
실질적으로 웨이퍼 연마해주는 부분 / 슬러리 방출
3) Dry/Wet Robot
폴리싱 된 웨이퍼를 건조시킴
4) Pre ~ Chemical ~ Mechanical Cleaning Station
세정공정
5) Spin Rinse Dry Station
세정공정 후 마무리 작업
위 그림과 같이 연마제인 Slurry가 공급되면 Pad Conditioner가 연마해줍니다.
2. CMP 장비 구성품
1) 슬러리 : 산화막 연마제
- 실리카 또는 세리아 계열을 주로 사용함, 전통적으로 유리 렌즈 가공에 많이 사용함
- 산화막용 연마액 : 염기성인 KOH
- 금속막용 연마액 : 산성이며, 연마 대상인 금속막은 텅스텐, 구리 알루미늄을 연마함
2) 패드 : 폴리우레탄으로 형성되어 있음
3) 패드 컨디셔너 : 패드를 초기화시키는 장비, 연마하는 힘을 줌
다음 시간에는 CMP 장비에 의한 불량 및 오류를 분석해보겠습니다.
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